Разгон процессора и оперативной памяти. Практическое применение разгона памяти

Мы уже рассказывали о том, как разгонять процессоры и видеокарты. Еще один компонент, достаточно ощутимо влияющий на производительность отдельно взятого компьютера, - оперативная память. Форсирование и тонкая настройка режима работы ОЗУ позволяют повысить быстродействие ПК в среднем на 5-10%. Если подобный прирост достигается без каких-либо денежных вложений и не влечет риски для стабильности системы - почему бы не попробовать? Однако начав готовить данный материал, мы пришли к выводам о том, что описания собственно процесса разгона будет недостаточно. Понять, почему и для чего надо изменять определенные настройки работы модулей, можно, лишь вникнув в суть работы подсистемы памяти компьютера. Потому в первой части материала мы кратко рассмотрим общие принципы функционирования ОЗУ. Во второй приведены основные советы, которых следует придерживаться начинающим оверклокерам при разгоне подсистемы памяти.

Основные принципы функционирования оперативной памяти одинаковы для модулей разных типов. Ведущий разработчик стандартов полупроводниковой индустрии JEDEC предоставляет возможность каждому желающему ознакомиться с открытыми документами, посвященными этой тематике. Мы же постараемся кратко объяснить базовые понятия.

Итак, оперативная память - это матрица, состоящая из массивов, именуемых банками памяти. Они формируют так называемые информационные страницы. Банк памяти напоминает таблицу, каждая ячейка которой имеет координаты по вертикали (Column) и горизонтали (Row). Ячейки памяти представляют собой конденсаторы, способные накапливать электрический заряд. С помощью специальных усилителей аналоговые сигналы переводятся в цифровые, которые в свою очередь образуют данные. Сигнальные цепи модулей обеспечивают подзарядку конденсаторов и запись/считывание информации.

Алгоритм работы динамической памяти можно описать такой последовательностью:

1. Выбирается чип, с которым будет осуществляться работа (команда Chip Select, CS). Электрическим сигналом проводится активация выбранной строки (Row Activate Selection). Данные попадают на усилители и могут быть считаны определенное время. Эта операция в англоязычной литературе называется Activate.
2. Данные считываются из соответствующей колонки/записываются в нее (операции Read/Write). Выбор колонок проводится командой CAS (Column Activate Selection).
3. Пока строка, на которую подан сигнал, остается активной, возможно считывание/запись соответствующих ей ячеек памяти.
4. При чтении данных - зарядов конденсаторов - их емкость теряется, поэтому требуется подзарядка или закрытие строки с записью информации в массив памяти (Precharge).
5. Конденсаторы-ячейки со временем теряют свою емкость и требуют постоянной подзарядки. Эта операция - Refresh - выполняется регулярно через отдельные промежутки (64 мс) для каждой строки массива памяти.

На выполнение операций, происходящих внутри оперативной памяти, уходит некоторое время. Именно его и принято называть таким знакомым словом «тайминги» (от англ. time). Следовательно, тайминги - временные промежутки, необходимые для выполнения тех или иных операций, осуществляющихся в работе ОЗУ.

Схема таймингов, указываемых на стикерах модулей памяти, включает в себя лишь основные задержки CL-tRCD-tRP-tRAS (CAS Latency, RAS to CAS Delay, RAS Precharge и Cycle Time (или Active to Precharge)). Все остальные, в меньшей мере оказывающие влияние на скорость работы ОЗУ, принято называть субтаймингами, дополнительными или второстепенными таймингами.

Приводим расшифровку основных задержек, возникающих при функционировании модулей памяти:

CAS Latency (CL) - пожалуй, самый важный параметр. Определяет минимальное время между подачей команды на чтение (CAS) и началом передачи данных (задержка чтения).

RAS to CAS Delay (tRCD) определяет интервал времени между подачей команд RAS и CAS. Обозначает число тактов, необходимых для поступления данных в усилитель.

RAS Precharge (tRP) - время, уходящее на перезарядку ячеек памяти после закрытия банка.

Row Active Time (tRAS) - временной промежуток, на протяжении которого банк остается открытым и не требует перезарядки.

Command Rate 1/2T (CR) - время, необходимое для декодирования контроллером команд и адресов. При значении 1T команда распознается за один такт, при 2T - за два.

Bank Cycle Time (tRC, tRAS/tRC) - время полного такта доступа к банку памяти, начиная с открытия и заканчивая закрытием. Изменяется вместе с tRAS.

DRAM Idle Timer - время простоя открытой информационной страницы для чтения данных с нее.

Row to Column (Read/Write) (tRCD, tRCDWr, tRCDRd) напрямую связан с параметром RAS to CAS Delay (tRCD). Вычисляется по формуле tRCD(Wr/Rd) = RAS to CAS Delay + Rd/Wr Command Delay. Второе слагаемое - величина нерегулируемая, определяет задержку на выполнение записи/чтения данных.

Пожалуй, это базовый набор таймингов, зачастую доступный для изменения в BIOS материнских плат. Расшифровку остальных задержек, как и детальное описание принципов работы и определение влияния тех или иных параметров на функционирование ОЗУ можно найти в спецификациях уже упомянутой нами JEDEC, а также в открытых datasheet производителей наборов системной логики.

Основные тайминги памяти

Объяснение одного из таймингов tRP (Read to Precharge, RAS Precharge) с помощью типичной схемы в datasheet от JEDEC. Расшифровка подписей: CK и CK - тактовые сигналы передачи данных, инвертированные один относительно другого (Differential Clock); COMMAND - команды, поступающие на ячейки памяти; READ - операция чтения; NOP - команды отсутствуют; PRE - подзарядка конденсаторов - ячеек памяти; ACT - операция активации строки; ADDRESS - адресация данных к банкам памяти; DQS - шина данных (Data Strobe); DQ - шина ввода-вывода данных (Data Bus: Input/Output); CL - CAS Latency в данном случае равен двум тактам; DO n - считывание данных со строки n. Один такт - временной промежуток, необходимый для возврата сигналов передачи данных CK и CK в начальное положение, зафиксированное в определенный момент.

Упрощенная блок-схема, объясняющая основы работы памяти стандарта DDR2. Она создана с целью демонстрации возможных состояний транзисторов и команд, которые их контролируют. Как видите, чтобы разобраться в столь «простой» схеме, потребуется не один час изучения основ работы ОЗУ (мы уже не говорим о понимании всех процессов, происходящих внутри чипов памяти).

Основы разгона оперативной памяти

Быстродействие ОЗУ в первую очередь определяют два показателя: частота работы и тайминги. Какой из них окажет большее влияние на производительность ПК, следует выяснять индивидуально, однако для разгона подсистемы памяти нужно использовать оба пути. На что же способны ваши модули? С достаточно высокой долей вероятности поведение плашек можно спрогнозировать, определив названия используемых в них чипов. Наиболее удачные оверклокерские микросхемы стандарта DDR - Samsung TCCD, UCCC, Winbond BH-5, CH-5; DDR2 - Micron D9xxx; DDR3 - Micron D9GTR. Впрочем, итоговые результаты будут зависеть и от типа РСВ, системы, в которой установлены модули, умения владельца разгонять память и просто от удачи при выборе экземпляров.

Пожалуй, первый шаг, который делают новички, - повышение рабочей частоты ОЗУ. Она всегда привязана к FSB процессора и выставляется с помощью так называемых делителей в BIOS платы. Последние могут выражаться в дробном виде (1:1, 1:1,5), в процентном выражении (50%, 75%, 120%), в режимах работы (DDR-333, DDR2-667). При разгоне процессора путем увеличения FSB автоматически возрастает частота работы памяти. К примеру, если мы использовали повышающий делитель 1:1,5, то при изменении частоты шины с 333 до 400 МГц (типично для форсирования Core 2 Duo) частота памяти поднимется с 500 МГц (333×1,5) до 600 МГц (400×1,5). Поэтому, форсируя ПК, следите, не является ли камнем преткновения предел стабильной работы оперативной памяти.

Следующий шаг - подбор основных, а затем дополнительных таймингов. Их можно выставлять в BIOS материнской платы или же изменять специализированными утилитами на лету в ОС. Пожалуй, самая универсальная программа - MemSet, однако владельцам систем на базе процессоров AMD Athlon 64 (K8) очень пригодится A64Tweaker. Прирост производительности можно получить лишь путем понижения задержек: в первую очередь CAS Latency (CL), а затем RAS to CAS Delay (tRCD), RAS Precharge (tRP) и Active to Precharge (tRAS). Именно их в сокращенном виде CL4-5-4-12 указывают изготовители модулей памяти на стикерах продуктов. Уже после настройки основных таймингов можно переходить к понижению дополнительных.

Модули стандартов: a) DDR2; b) DDR; c) SD-RAM. Чипы (микросхемы) памяти. Комбинация «чипы + РСВ» определяет объем, количество банков, тип модулей (с коррекцией ошибок или без). SPD (Serial Presence Detect) - микросхема энергонезависимой памяти, в которую записаны базовые настройки любого модуля. Во время старта системы BIOS материнской платы считывает информацию, отображенную в SPD, и выставляет соответствующие тайминги и частоту работы ОЗУ. «Ключ» — специальная прорезь платы, по которой можно определить тип модуля. Механически препятствует неверной установке плашек в слоты, предназначенные для оперативной памяти. smd-компоненты модулей (резисторы, конденсаторы). Обеспечивают электрическую развязку сигнальных цепей и управление питанием чипов. На стикерах производители обязательно указывают стандарт памяти, штатную частоту работы и базовые тайминги. РСВ - печатная плата. На ней распаиваются остальные компоненты модуля. От качества РСВ зачастую зависит результат разгона: на разных платах одинаковые чипы могут вести себя по-разному.

На результаты разгона оперативной памяти значительное влияние оказывает увеличение напряжения питания плашек. Безопасный для длительной эксплуатации предел зачастую превышает заявленные производителями значения на 10-20%, однако в каждом случае подбирается индивидуально с учетом специфики чипов. Для наиболее распространенной DDR2 рабочее напряжение зачастую равно 1,8 В. Его без особого риска можно поднять до 2-2,1 В при условии, что это влечет за собой улучшение результатов разгона. Впрочем, для оверклокерских модулей, использующих чипы Micron D9, производители заявляют штатное напряжение питания на уровне 2,3-2,4 В. Превышать эти значения рекомендуется только для кратковременных бенчинг-сессий, когда важен каждый дополнительный мегагерц частоты. Отметим, что при длительной эксплуатации памяти при напряжениях питания, отличающихся от безопасных для используемых чипов значений, возможна так называемая деградация модулей ОЗУ. Под этим термином понимают снижение разгонного потенциала модулей со временем (вплоть до неспособности работать в штатных режимах) и полного выхода плашек из строя. На деградационные процессы особо не влияет качество охлаждения модулей - даже холодные чипы могут быть им подвержены. Конечно, есть и примеры длительного успешного использования ОЗУ при высоких напряжениях, но помните: все операции при форсировании системы вы проводите на свой страх и риск. Не переусердствуйте.

Прирост производительности современных ПК можно получить, используя преимущества двухканального режима (Dual Channel). Это достигается за счет увеличения ширины канала обмена данными и роста теоретической пропускной способности подсистемы памяти. Такой вариант не требует специальных знаний, навыков и тонкой настройки режимов работы ОЗУ. Для активации Dual Channel достаточно иметь два или четыре модуля одинакового объема (при этом необязательно использовать полностью идентичные плашки). Двухканальный режим включается автоматически после установки ОЗУ в соответствующие слоты материнской платы.

Все описанные манипуляции приводят к увеличению быстродействия подсистемы памяти, однако заметить прирост невооруженным глазом зачастую сложно. При хорошей настройке и ощутимом повышении частоты работы модулей можно рассчитывать на прибавку производительности порядка 10-15%. Среднестатистические показатели более низкие. Стоит ли овчинка выделки и нужно ли тратить время на игры с настройками? Если хотите детально изучить повадки ПК - почему бы и нет?

ЕРР и XMP - разгон ОЗУ для ленивых

Далеко не все пользователи изучают особенности настройки ПК на максимальное быстродействие. Именно для новичков оверклокинга ведущие компании предполагают простые способы повышения производительности компьютера.

В отношении ОЗУ все началось с технологии Enhanced Performance Profiles (EPP), представленной NVIDIA и Corsair. Материнские платы на базе nForce 680i SLI первыми предоставили максимальную функциональность в плане настройки подсистемы памяти. Суть ЕРР довольно проста: производители ОЗУ подбирают гарантированные нестандартные скоростные режимы функционирования собственных продуктов, а разработчики системных плат предоставляют возможность их активировать через BIOS. EPP - расширенный перечень настроек модулей, дополняющий базовый набор. Существует две версии ЕРР - сокращенная и полная (два и одиннадцать резервных пунктов соответственно).

Дальнейшее развитие данной темы - концепция Xtreme Memory Profiles (ХМР), представленная компанией Intel. По своей сути данное новшество не отличается от ЕРР: расширенный набор настроек для ОЗУ, гарантированные производителями скоростные режимы записаны в SPD планок и при необходимости активируются в BIOS платы. Поскольку Xtreme Memory Profiles и Enhanced Performance Profiles предоставлены разными разработчиками, модули сертифицируются под их собственные наборы системной логики (на чипсетах NVIDIA или Intel). XMP, как более поздний стандарт, относится только к DDR3.

Безусловно, несложные в активации резервов ОЗУ технологии EPP и XMP пригодятся новичкам. Однако позволят ли производители модулей просто так выжать максимум из своих продуктов? Хотите еще больше? Тогда нам по пути - будем глубже вникать в суть повышения быстродействия подсистемы памяти.

Итоги

В небольшом материале сложно раскрыть все аспекты работы модулей, принципы функционирования динамической памяти вообще, показать, насколько повлияет изменение одной из настроек ОЗУ на общую производительность системы. Однако надеемся, что начало положено: тем, кто заинтересовался теоретическими вопросами, настоятельно рекомендуем изучить материалы JEDEC. Они доступны каждому желающему. На практике же опыт традиционно приходит со временем. Одна из главных целей материала - объяснение новичкам основ разгона подсистемы памяти.

Тонкая настройка работы модулей - дело довольно хлопотное, и если вам не нужна максимальная производительность, если каждый балл в тестовом приложении не решает судьбу рекорда, можно ограничиться привязкой к частоте и основным таймингам. Существенное влияние на быстродействие оказывает параметр CAS Latency (CL). Выделим также RAS to CAS Delay (tRCD), RAS Precharge (tRP) и Cycle Time (или Active to Precharge) (tRAS) - это базовый набор, основные тайминги, всегда указываемые производителями. Обратите внимание и на опцию Command Rate (наиболее актуально для владельцев современных плат на чипсетах NVIDIA). Впрочем, не стоит забывать о балансе характеристик. Системы, использующие неодинаковые контроллеры памяти, по-разному могут реагировать на изменения параметров. Разгоняя ОЗУ, следует придерживаться общей схемы: максимальный разгон процессора при пониженной частоте модулей → предельный разгон памяти по частоте с наихудшими задержками (изменением делителей) → снижение таймингов при сохранении достигнутых частотных показателей.

Дальше - тестирование производительности (не ограничивайтесь лишь синтетическими приложениями!), затем новая процедура разгона модулей. Установите значения основных таймингов меньше на порядок (скажем, 4-4-4-12 вместо 5-5-5-15), с помощью делителей подберите максимальную частоту в таких условиях и протестируйте ПК заново. Таким образом возможно определить, что больше всего «по душе» вашему компьютеру - высокая частота работы или низкие задержки модулей. После чего переходите к тонкой настройке подсистемы памяти, поиску минимальных значений для субтаймингов, доступных для корректировки. Желаем удачи в этом нелегком деле!

1. Разогнанный процессор в паре с не разогнанной памятью не даст максимальной производительности.
2. Пример приводится по разгону «обычной» DDR-памяти.
Но если у вас, например, CeleronD и память DDRII, то сам процесс остается таким же.
Изменяются лишь параметры частот и таймингов (память DDRII работает на более высоких частотах с более высокими таймингами).

Разгон по частоте

1. Заходим в BIOS, нажав и удерживая клавишу «Delete» в начальный момент загрузки системы (до экрана загрузки Windows).

2. «Advanced Chipset Features» - «DRAM Configuration» - это вкладка редактирования параметров таймингов памяти.
Далее в каждой строчке вместо AUTO ставим то число, которое справа от черточки.
«Row Cycle Time (tRC)» - 12.
«Row Refresh Cycle Time (tRFC)» - 16.
Другие таймиги должны быть выставлены для частоты 400 MHz.
«Power Bios» - «Memory Frequency» - DDR333 (166 MHz).

Если тесты не пройдены или выскакивают сообщения об ошибках памяти:

Поднимаем напряжение памяти
«Power Bios» - «Memory Voltage» - 2.9v (3.0v).

Опять прогоняем тесты.
- снижаем делитель
«Power Bios» - «Memory Frequency» - DDR266 (133 MHz) и опять тестируем в Windows, но после этого, обычно память уже работает стабильно.

Например, множитель процессора 9, разгон 2700 MHz, память выставлена, как DDR333.
Следовательно, 2700 делим на 11.
Результат - 245 MHz т.е. 490 MHz DDR.

Следует выделить еще один тип разгона: с понижением множителя (и повышением частоты шины), для того, чтобы найти наиболее оптимальную частоту памяти.

Разгон по таймингам

Иногда разгон по таймингам дает лучшие результаты, чем разгон по частоте.
Так что следует проверить и первый, и второй варианты.
Также увеличение основных таймингов ведет к приросту разгона по частоте.

«Advanced Chipset Features» - «DRAM Configuration 1T\2T Memory Timing» - «1T».
Тестируем в Windows.

Основные тайминги памяти:
CAS# Latency (CL) -> 2.5T (для более дорогой памяти можно 2.0).
RAS# To CAS# Delay (tRCD) -> 3T.
RAS# Precharge (tRP) -> 3T.
Cycle time (Tras) -> 7T.

Тайминги можно выставить и ниже приведенных значений - все зависит только от способностей вашей памяти.
А проверить это можно только тестированием в тестовых пакетах и реальных приложениях.
Для недорогой памяти (Digma/NCP/PQI) на частотах выше 400 MHz основные тайминги желательно выставить, как 3.0-4-4-8 соответственно.

Опять тестируем в Windows.
Если стабильности нет, повышаем напряжение на памяти, увеличиваем тайминги.
Так как сложно подобрать память (даже одинаковую модель), которая работала бы так же, как, например, в тестах, следует самостоятельно выбрать именно ту частоту и те тайминги, на которых была бы полная стабильность.

Не все знают, что оперативную память недостаточно просто установить в компьютер. Её полезно настроить, разогнать. Иначе она будет давать минимально заложенную в параметры эффективность. Здесь важно учесть, сколько планок установить, каким образом распределять их по слотам, как проставить параметры в БИОСе. Ниже вы найдёте советы по установке RAM, узнаете, как правильно установить, настроить и .

Первый вопрос, возникающий при желании повысить производительность, быстродействие ОЗУ у пользователей, - возможно ли установить в компьютер модули памяти разного производства, отличающиеся частотой? Решая, как установить оперативную память в компьютер, приобретайте лучше модули одного производства, с одной частотностью.

Теоретически, если установить модули разночастотные, оперативная память работает, но на характеристиках самого медленного модуля. Практика же показывает, что зачастую возникают проблемы несовместимости: не включается ПК , происходят сбои ОС.

Следовательно, при планах установить несколько планок покупайте набор в 2 либо 4 модуля. В одинаковых планках чипы обладают одинаковыми параметрами разгонного потенциала.

Полезность многоканального режима

Современный компьютер поддерживает многоканальность в работе оперативной памяти , минимально оборудованы 2 канала. Есть процессорные платформы с трёхканальным режимом, есть с восемью слотами памяти для четырёхканального режима.

При включении двухканального режима прибавляется 5–10% производительности процессору, графическому же ускорителю - до 50%. Потому при сборке даже недорогого игрового устройства рекомендуется установка минимум двух модулей памяти.

Если подключаете два модуля ОЗУ, а плата, установленная в компьютер, снабжена 4 слотами DIMM, соблюдайте очерёдность установки. Для включения двухканального режима ставьте в компьютер модули, чередуя разъёмы платы через один, т. е. поставьте в 1 и 3 либо задействуйте разъёмы 2 и 4. Чаще удобен второй вариант, ведь нередко первый слот для ОЗУ перекрывается кулером процессора. Если радиаторы низкопрофильные, подобной проблемы не возникнет.

Проконтролировать, подключился ли двухканальный режим, сможете через приложение AIDA64. Пройдите в нём в пункт «Тест кэша и памяти». Утилита поможет вам также просчитать быстродействие RAM до разгона, понаблюдать, как изменилась память, её характеристики после процедуры разгона.

Настройка частоты, таймингов

Для разгона ОЗУ, нужно знать, как . Когда только поставите ОЗУ в компьютер, оперативка будет работать, скорее всего, на минимально возможной частоте, имеющейся в техпараметрах процессора. Максимальную частоту нужно установить, настроить через BIOS материнки, можно вручную, для ускорения существует технология Intel XMP, поддерживаемая практически всеми платами, даже AMD.

Когда поставите вручную 2400 МГц, память станет функционировать на стандартных таймингах для этой частоты, которые составляют 11-14-14-33. Но модули HyperX Savage справляются со стабильной работой при меньших таймингах на высокой частоте в 2400 МГц, такое соотношение (низкие тайминги с высокой частотностью) являются гарантией высокого быстродействия ОЗУ.

Полезная технология, разработанная корпорацией Intel - Extreme Memory Profile - позволяет избежать ручного проставления каждого тайминга, в два клика выбираете оптимальный профиль из приготовленных производителем.

Разгон памяти

Мы выше говорили, что установить, даже правильно, планки оперативки - недостаточно. Включив двухканальный, лучше четырёхканальный режим, подберите оптимальные настройки частоты, соотносимые с таймингом. Помните, прежде всего, что гарантию разгона вам никто не даст, одну память получится разогнать отлично, такую же другую - неудачно. Но не бойтесь, что память может выйти из строя, когда будете разгонять: при слишком высоко задранной она всего лишь не запустится.

Что делать, если разгон оказался неудачным? Обычно материнки снабжены функцией автоотката настроек, которую используйте, когда несколько раз после разгона компьютер не запустится. сможете также вручную, для чего примените перемычку Clear CMOS (она же JBAT).

Подбирается частота экспериментально, так же ставят напряжение питания, тайминги. Разумеется, нет гарантии, что подобранное соотношение будет лучше, чем на максимальном XMP-профиле. Часто при максимальном разгоне частоты приходится повышать тайминги.

Обязательно протестируйте утилитой AIDA64 Cache & Memory Benchmark получившийся у вас результат. Разгон может привести к падению скорости, став практически бесполезным. Обычно у низкочастотных версий потенциал выше, чем у топовых.

Установить память, её разгон - процессы несложные, особенно когда RAM поддерживает XMP-профили, уже готовые. Помните, что покупать ОЗУ на компьютер практичнее комплектом, чтобы получить прирост быстродействия от двухканального режима, не только от разгона. Советуем приобретать на компьютер низкопрофильную оперативку для избегания несовместимости, когда стоит крупноразмерный процессорный кулер. Следуйте советам, тогда сможете разогнать максимально быстродействие оперативки.

Оперативная память - компонент компьютера, который достаточно сильно влияет на его общую производительность. Разгон и тонкая настройка оперативной памяти могут увеличить общую производительность компьютера от 4% до 12%. В данной статье мы расскажем, как правильно разогнать оперативную память, не рискуя при этом “что-то спалить ”.

Прежде чем рассказывать о методах разгона памяти следует заметить, что для повышения производительности подсистемы памяти не обязательно вообще разгонять её, достаточно просто активировать режим Dual Channel (режим двухканальной передачи данных) или трёхканалного режима. А работать он начнёт автоматически, после установки двух(трёх, для трёхканального режима) и более планок памяти в соответствующие разъёмы материнской платы (одного цвета). Суть данной технологии заключается в том, что увеличивается ширина шины данных, и теоретически скорость передачи данных возрастает в 2 (3) раза (это в теории).

Рассмотрим основы разгона оперативной памяти

На скорость работы ОЗУ влияет только два фактора: частота работы памяти и её тайминги . Но, на возможность максимально улучшить эти параметры может повлиять напряжение памяти . То, какой фактор повлияет на скорость работы памяти нужно устанавливать опытным путём, у разных чипов, эффект может быть разным.

Первым шагом для разгона будет повышение рабочей частоты модулей ОЗУ . Рабочая частота памяти всегда зависит от FSB шины процессора. Для повышения частоты работы памяти нужно увеличить делитель в BIOS материнской платы, которые могут выражаться в дробном виде (например: 1:1.5), в процентах (50%, 75%, 130%) или в режиме работы (DDR-333, DDR2-667). Повышая делитель, вы повышаете частоту памяти, но не забывайте, что частота памяти прямо зависит от частоты FSB, так что, если вы разгоняете процессор путём повышения FSB шины, то повышать делитель не стоит, так как при увеличении частоты FSB шины, автоматически увеличивается частота памяти.

Ну, с частотой мы закончили, теперь приступим с подбору таймингов памяти . Увеличить производительность памяти можно только за счёт уменьшения значений таймингов, но не забывайте, что, чем меньше задержки (тайминги) - тем меньше стабильность памяти. Уменьшить значения таймингов можно, как в системном BIOS, так и при помощи специальных программ в Windows. Понижаем значения основных таймингов: CAS Latency (CL), RAS to CAS Delay (tRCD), RAS Precharge (tRP) и Active to Precharge (tRAS).

Повышаем напряжение. Как было сказано выше, напряжение памяти сильно влияет на результат разгона, но не стоит переусердствовать, так - как это может привести к выходу из строя оперативной памяти. Повышать напряжение стоит не более 10% - 20% от номинала. Напряжение можно так же выставить в BIOS материнской платы. Длительное завышение напряжения памяти может так же привести к её неисправности или снижению разгоночного потенциала.

Если, во время выполнения данных операций вы столкнулись с тем, что после перезагрузки, компьютер отказывается стартовать , и возможно издаёт противный писк, скорее всего вы превысили допустимые рабочие параметры. Для восстановления работоспособности компьютера, вам необходимо сбросить настройки BIOS (обнулить CMOS память).

Удачи в экспериментах!

часть первая: аппаратное изменение параметров работы процессора и памяти

Предупреждение: модификации, о которых рассказывается в этой статье, могут привести к необратимому выходу ноутбука из строя и дальнейшему дорогостоящему ремонту! Любые модификации, описанные в настоящем материале, производятся пользователями на свой страх и риск.

Если вы не уверены в своих действиях или не очень хорошо знакомы с устройствами, описанными в статье, не стоит прибегать к описанным методам разгона!

Введение

Разогнать ноутбук несколько сложнее, чем настольный компьютер. Если в разгоне настольного компьютера 80% времени занимает процесс подбора нужных параметров в BIOS, то в разгоне ноутбука эту часть времени займет поиск ответа на вопрос "А как его вообще разогнать?", потому что BIOS ноутбука настройками для разгона не балует.

В ноутбуке, как и в стационарном компьютере, разогнать можно процессор, оперативную память и видеокарту.

Видеокарта

С ней обычно проблем нет, существует множество программ, позволяющих без труда её разогнать, например, RivaTuner, AtiTool и прочие. Аппаратно видеокарту разгонять тоже можно (модифицировать её BIOS, делать вольтмод видеочипа и видеопамяти), но сделать это непросто и опасно. На скорость загрузки ОС аппаратный разгон видеокарты не влияет, поэтому единственным удобством станет то, что после переустановки операционной системы не придется заново создавать профили разгона. К тому же, такой способ гораздо опасней программного, ведь в случае, например,неудачной модификации видео-BIOS в ноутбук не установишь другую видеокарту, а прошивать вслепую рабочий вариант BIOS не всегда возможно.

Оперативная память

В чипсетах AMD частота памяти не зависит от частоты FSB, но удачный самостоятельный разгон возможен только при использовании процессора AMD. В случае связки процессора Intel с чипсетом AMD частота памяти выбирается максимально возможная по данным из SPD (из поддерживаемых чипсетом, естественно), т.е. фактически для разгона памяти в этом случае достаточно прошить в SPD бОльшую частоту.

Процессор

С ним часто приходится попотеть, чтобы получить желаемый результат. Разогнать процессор в ноутбуке можно тремя основными способами:

1. Программный разгон. Он осуществляется с помощью программ, которые управляют тактовым генератором (ТГ, PLL-микросхема, clocker, клокер) и умеют на лету изменять частоту FSB . Здесь есть одно "но" - чтобы программа работала, нужно знать, какой тактовый генератор установлен в Вашем ноутбуке, а для этого придётся либо его разбирать и искать заветную микросхему на плате, либо подбирать, пробуя каждый из немалого списка ТГ. Примерами программ для разгона являются SetFSB, Clockgen и прочие. Есть также некоторые факторы, ограничивающие применение этого метода разгона, а именно:

• не все PLL поддерживают программное управление;
• бывает, что разгон заблокирован аппаратно или на уровне BIOS. Т.е. даже если нужный ТГ поддерживается программой, разгон осуществить не удастся;
• новые ноутбуки с новыми ТГ выпускают чуть ли не каждую неделю, соответственно, на добавление поддержки этих ТГ иногда требуется значительное время;
• частота памяти увеличивается вместе с частотой FSB, поэтому при разгоне можно упереться в память.

2. BSEL-мод. Метод заключается в подаче низкого (логический 0) и высокого (логическая 1) уровня на BSEL-пины процессора. Под низким и высоким уровнем понимается напряжение определённой величины, оно может быть различным для разных процессоров. Физически реализуется замыканием на землю и изолированием (либо замыканием на Vcc пины процессора) соответствующих пинов процессора. Главный плюс такого метода в том, что чипсет выставляет новое соотношение FSB: DRAM либо более высокие тайминги для оперативной памяти, поэтому разгон не упрётся в память, но не всегда. Как и в случае с программным разгоном, у BSEL-мода есть свои подводные камешки:

• Последние мобильные чипсеты Intel (проверено на 945PM, PM965, PM45) после BSEL-мода блокируют множитель процессора на х6, и результирующая частота оказывается меньше исходной. На чипсетах AMD такой проблемы нет (проверялось на чипсете Xpress 1250 c процессором Intel T2330, BSEL-мод 133->200 прошел успешно);
• частоту FSB таким способом можно переключать только на стандартные значения типа 133, 166, 200, 266 и т.п.;
• если чипсет официально не поддерживает частоту FSB, на которую планируется сделать BSEL-мод, то, скорее всего разгон не удастся. Это может происхоидть по разным причинам, например, блокировка либо отсутствие поддержки других BSEL-комбинаций в BIOS, или невозможность чипсета работать на новой бОльшей частоте и т.п.

3. Мод тактового генератора. Непосредственное вмешательство в электрическую схему, связывающую ТГ с процессором и чипсетом. Метод похож на BSEL-мод, только проводится с BSEL-пинами микросхемы ТГ, а не процессора. При этом в ряде случаев нужно отключать BSEL-пины процессора от модифицируемых BSEL пинов ТГ. Преимущества данного метода:

• он универсален и подходит почти ко всем ноутбукам;
• в отличие от BSEL-мода, чипсетуBIOS необязательно иметь официальную поддержку нужной частоты, и такой разгон невозможно заблокировать в BIOS. В общем случае чипсет вообще не знает, что новая частота FSB отличается от частоты, задаваемой BSEL-пинами процессора.

Недостатки:

• достаточно сложно реализовать, требует навыков обращения с паяльником и некоторых теоретических знаний, а также наличие мультиметра и некоторых других технических приспособлений;
• как и в случае с BSEL-модом, частоту можно переключать только на стандартные значения типа 133, 166, 200, 266 и т.д.;
• частота памяти увеличивается вместе с частотой FSB, так что разгон может упереться в память.
• При таком методе чипсет не переключает свои внутренние тайминги, и увеличить частоту FSB более чем на 66 МГц вряд ли получится.

Последние 2 способа аппаратные, т.е. они начинают работать сразу после нажатия кнопки «ВКЛ», после переустановки ОС тоже не нужно всё настраивать заново.

Разгон видеокарты

В Samsung R560 стоит распаянная на материнской плате дискретная видеокарта GeForce 9600M GS/GT с 256/512 MB GDDR3 памяти. У меня версия GS с 256 MB. Разгонялась она с помощью программы nVidia system tools. Подробно описывать этот процесс смысла нет, т.к. он заключается в передвижении ползунков в программе. Скажу лишь, что после выставления частот необходимо тестировать систему на артефакты и нагрев «волосатыми» тестами типа FurMark или кубика в AtiTool. Артефакты - это искажения изображения при переразгоне. Вот максимальный, стабильный разгон моего экземпляра:

Частоты я поставил в автозагрузку с помощью правил в той же nVidia system tools. Стоит отметить, что в простое карта сама сбрасывает частоты для экономии энергии.

Разгон процессора и памяти

Небольшая предыстория

Тут все оказалась не так гладко как с видеокартой. Когда еще у меня был Samsung R70, я хотел разогнать его программно, потому что понятия не имел об остальных способах. Ради этого я разобрал ноутбук, нашел ТГ и отправился качать программы для изменения частоты FSB. Ноутбук был тогда относительно новым, и поддержки нужного мне ТГ ни в одной программе не оказалось. Точнее, в них были были модели ТГ, похожие на мою, они даже позволяли менять частоту, но через несколько секунд ноутбук зависал.

Я не поленился и написал письмо Abo, разработчику SetFSB, с просьбой добавить поддержку моего ТГ. Однако он ответил, что указанный ТГ не поддерживает программное изменение частоты. Тогда я написал ему про ситуацию насчет изменения частоты при выборе другого PLL, но в ответе он написал, что не понимает как это может быть реализовано.

Но я на этом не остановился. Перелопатив десятки страниц в поисковиках и сайтов на китайском языке, я нашёл и скачал техническое описание (даташит) на свой ТГ и его ближайших родственников. Оттуда я узнал, что ТГ управляется путём записи данных в его регистры . А самое замечательное, что содержимое этих регистров можно просматривать и изменять в SetFSB. Внимательно изучив даташит, я все-таки нашел регистр, с помощью которого можно было управлять частотой этого злополучного PLL:

Видно, что 7-й бит отвечает за включение/выключение ручного режима управления, а с 4-го по 2-й - за выставление частоты. Правда, частоту с его помощью можно было менять только ступеньками с одной стандартной частоты на другую, т.е. 166,200,266 и т.п. - так, как это делает BSEL-мод. И это тоже был, казалось бы, тупик, потому что в R70 стоял процессор с частотой FSB=200 МГц и чипсет PM965, который официально не поддерживает более высокую частоту. Т.е. при переключении с частоты 200 МГц на частоту 266 МГц ноутбук зависал. Вольтмод чипсета я тогда еще делать не умел, впрочем, если бы даже и умел, то неизвестно, помог бы он или нет. Но к счастью, у знакомого оказался процессор T5750, который работал на FSB 166 МГц, и мы поменялись. С этим процессором разгон удался, изменив значение регистра я переставил частоту со 166 на 200 МГц и получил прирост частоты процессора в 400 МГц и частоты памяти в 133 МГц, т.е. процессор стал работать на 2,4 ГГц, а память DDR2 - на 800. Хотя, честно говоря, абсолютный выигрыш от разгона в данном случае несколько сомнителен, так как у моего Т7300 кэш второго уровня 4 МБ, а у Т5750 он в два раза меньше. И непонятно, что в данном случае лучше - лишние 2 МБ кэша или 400 МГц прироста частоты.

И все вроде бы получилсоь, только вот частота выставлялась через раз, а в остальных случаях ноутбук зависал, причем чаще зависал, чем выставлял частоту. Но какое никакое, а достижение. Написал про этот регистр Abo, и он впоследствии добавил поддержку моего PLL в SetFSB. Правда, поддержка не такая, как для «нормальных» ТГ, но хоть какое-то поле для действий. Под «нормальными» ТГ я подразумеваю такие ТГ, которые позволяют изменять частоту с шагом ~1 МГц, а не по таблице.

В R560 стоит точно такой же тактовый генератор. Кстати говоря, не во всех экземплярах R70, R560 и R710 (аналог R560 с 17-дюймовым экраном) стоят ТГ Silego SLG8SP513V. В некоторых устанавливались ТГ фирмы IDT и SpectraLinear. Ситуация с их поддержкой такая же безрадостная как и с SLG, причем в ТГ SpectraLinear частоту переключать нельзя вообще никак. Вот сам ТГ от Silego:

Процесс разгона

В R560 установлен чипсет Intel PM45, который официально поддерживает частоту 266 МГц и может работать даже на частоте 333 МГц, что, казалось бы, создает идеальные условия для разгона моего Т7300 (200*10). Однако не тут-то было. Чипсет при старте ноутбука в зависимости от частоты FSB (точнее, не от самой частоты, а от BSEL-комбинации пинов процессора) выставляет тайминги для памяти, которые он берет из SPD. И получилась такая ситуация: для FSB 200 МГц выставлялись тайминги 6-6-6-15, а для разгона на FSB 266 МГц нужны тайминги 7-7-7-20, если верить SPD. Выходов было несколько:

• сделать BSEL-мод на 333 МГц, тогда множитель заблокируется на х6 и результирующая частота процессора останется такой же (333*6=2,0 ГГц), что достаточно неплохо, учитывая более широкую шину процессора и то, что частота памяти была бы в этом случае 1333 МГц. Тайминги при этом должны выставиться правильные;
• модифицировать SPD модулей памяти так, чтобы на частоту FSB 200 МГц чипсет выставлял тайминги 7-7-7-20. При этом дальше можно было бы заниматься программным разгоном, т.к. память функционировала бы в стандартном режиме.

Первый вариант, на который я так надеялся, отпал после его практической проверки. В таком положении перемычек/изоляторов на BSEL-пинах процессора ноутбук не стартовал вообще. Такая ситуация возможна в силу целого ряда причин, но точную могут знать только инженеры компании Samsung.

Второй вариант было реализовать относительно просто. Существует специальное ПО для перепрошивки SPD, я воспользовался Taiphoon Burner 6.1. Однако при прошивке возникла проблема: в силу того, что в R560 используется память типа DDR3, разные программы почему-то выдают разную информацию об SPD, однако это в итоге не помешало мне при работе с SPD. После недолгих опытов и перепрошиванием SPD туда и обратно выяснилось, что ноутбук упорно не хочет стартовать, если для частоты FSB 200МГц прописан Cas Latency не равный 6, а мне нужен был CL=7. Остальные тайминги без CL=7 выставлялись замечательно. Некоторое время я искал на различных форумах причины такой ситуации, но безрезультатно. Поэтому было решено протестировать тайминги 6 -7-7-20. Вопреки моим ожиданиям, система не только запустилась, но и стабильно работала даже в стресс-тестах.

Вот что прописано в SPD по умолчаниию:

А вот модифицированный вариант:

Так выглядит редактор таймингов:

Стоит отметить, что если у вас только одна планка памяти, то заниматься перепрошивкой SPD не стоит. Потому что в случае неправильной установки таймингов ноутбук стартовать с этой планкой не будет. Я специально для опытов купил еще одну самую дешёвую планку памяти на гигабайт, которую не слишком жалко потерять. Если в ноутбуке стоит две планки и одна из них прошита неправильно, то можно вставить рабочую, загрузить на ней систему, а потом «на горячую» воткнуть нерабочую и прошивать её обратно на рабочие тайминги. Есть риск спалить планку или, что еще хуже, того материнскую плату, но при отсутствии под рукой программатора других вариантов нет. К слову, планку я таким способом возвращал к жизни около 10 раз и сейчас она чудесно функционирует. Позднее было выяснено, что существует безопасный способ с заклеиванием контактов на планках скотчем. Суть его заключается в том, что нужно заклеить скотчем все контакты на планке памяти, кроме тех, которые нужны для чтениязаписи микросхемы SPD. Для So-DIMM DDR3 204pin нужно оставлять незакленными по 5 последних контактов с обоих сторон планки. Если память другая, то нужно найти даташит на нужный формфактор, и в соответствии с ним оставить незаклеенными плюс, массу и пины, касающиеся работы с микросхемой SPD.

Казалось бы, цель достигнута, но у программного разгона R560 есть существенные недостатки - мало того, что, как и в R70, при переключении частоты ноутбук с вероятностью ~70% зависает, при удачном переключении частоты он ещё и перезагружается. Понятно, что о постоянном использовании этой схемы и речи быть не может, в лучшем случае будет двойной старт, в худшем система вообще зависнет.

Финишная прямая

К счастью, это был не конец. На форуме, в ветке про разгон ноутбуков, я наткнулся на запись о том, как один человек (Выражаю благодарность Константину из Байконура, без него то, что я буду описывать далее, не получилось бы) с помощью паяльника и определенных навыков сделал мод, при котором чипсет продолжал думать, что работает на стандартной частоте, в то время как ТГ выдавал другую (способ разгона №3). Множитель, естественно, не блокировался. Посовещавшись с ним, мы пришли к выводу, что аналогичный мод можно сделать и у меня.

Как я уже говорил ранее, в тактовом генераторе существуют три пина, которые выполняют ту же функцию, что и контакты BSEL в процессоре. На рисунке это пины под номерами 5, 17, 64.

В большинстве случаев на этих пинах висят еще и дополнительные функции, поэтому приходится думать, что-то куда-то перепаивать, где-то делать разрыв, добавлять дополнительные сопротивления. В общем, это достаточно трудоёмкий процесс, требующий специальных знаний, навыков, инструментов и деталей. Чтобы сделать такой мод, нужно отследить, с чем соединяется на плате нужный пин тактового генератора. В моем случае это было нереально, так как выходящая из ТГ дорожка через 5 мм уходила во внутренние слои платы. К счастью, мне повезло, на нужном мне пине, а именно №64, была функция, которая ни на что не влияет в нормальном режиме работы ноутбука.

Согласно этой таблице, чтобы переключить частоту с 200 на 266 МГЦ, мне нужно было отпаять пин FS_B (№64) и подать на него низкий уровень, т.е. замкнуть его на землю, чтобы получить логический 0. В принципе, если не замыкать его на землю, а просто отпаять, то, по идее, ничего измениться не должно, так как на стандартной частоте эта нога имеет значение логической единицы. Я не долго думая разобрал ноутбук и перебил дорожку, отходящую от 64-го пина.

Решил проверить ноутбук и убедиться, что он по-прежнему работает. Windows загрузилась, и тут я в трее, рядом со значком RMClock, увидел на индикаторе частоты процессора цифру 2,66, подумал что это какой-то сбой. Выключил, включил, но RMClock все равно показывал те же цирфы, а CPU-Z показывал, что частота FSB равна 266 МГц. Единственное, меня немного смущал вопрос, почему пин, висящий в воздухе, принимается за логический 0. Я протестировал систему на стабильность в течение нескольких минут и наконец собрал ноутбук на все винты, а не на три шурупчика «лишь бы держалось». Можно считать, что цель достигнута.

Вот они, заветные цифры:

В скором времени обнаружилась интересная особенность - после ухода ноутбука в режим сна S3, и выхода из него, частота сбрасывалась на заводскую. Тут я вспомнил про пин, висящий в воздухе, и решил всё-таки припаять его на землю, как и полагается. После этого баг больше не проявлялся.

Охлаждение и тестирование

Во времена, когда у меня был еще R70, очень остро стоял вопрос охлаждения, потому что установленная в него видеокарта 8600M GT сильно греется, а при разгоне температура вообще доходила до 100 градусов. С этим надо было что-то делать. При разборке я заметил, что на других ноутбуках прямо под вентилятором охлаждения предусмотрены вентиляционные отверстия, через которые он засасывает холодный воздух. В R70, также как и в R560, напротив вентилятора таких отверстий нет и поток воздуха из-за этого ослабевает и приходит на вентилятор уже нагретый за счёт тепла компонентов материнской платы. Я решил исправить этот досадный момент колхозным, но эффективным способом:

Уже не помню, насколько упала температура после этого, но могу сказать, что такой ход примерно равносилен покупке охлаждающей подставки, он снижает температуру на 5 и более градусов в зависимости от нагрузки. Кстати о подставке, всем рекомендую приобретать такую, если хотите заняться разгоном ноутбука. Главное при выборе подставки для R560, это расстояние между днищем и подставкой - чем оно больше, тем лучше. Расположение вентиляторов имеет имеет значение только если вы будете сверлить отверстия напротив вентилятора, как это сделал я. Лучше, если заборные отверстия вентилятора ноутбука находятся прямо над вентиляторами подставки.

Теперь о результатах тестов. Рассуждать тут собственно не о чем, цифры говорят сами за себя:

3Dmark 2006 (default, 1280×800, видеокарта под разгоном, процессор и память не разогнаны, XP).

Everest без разгона:

Everest с разгоном:

О температурном режиме могу сказать, что мой T7300 сам по себе горячий, стресс-тестирование S&M или LinX без дополнительного охлаждения он не проходит даже на заводской частоте. Без разгона эта проблема на ура решается понижением напряжения - процессор может стабильно работать при напряжении 0,9875В. А вот с разгоном понижать напряжение уже некуда. С разгоном в ресурсоёмких играх температура процессора держится на уровне 80–90 градусов, видеокарты - около 80. Хотя, в принципе, этот уровень находится в пределах нормы. Примечательно, что после разгона температура процессора практически не изменилась.

Заключение

Разгон ноутбуков - занятие непростое, но интересное и к тому же выгодное. Зачем покупать ноутбук за 50–70 тысяч рублей, когда той же (если не бо́льшей) производительности при правильном подходе можно добиться от ноутбука за 30–40 тысяч. Пример в лице Samsung R560 это подтверждает. Мое личное мнение состоит в том, что Samsung R560 просто создан для разгона. На 45-нм процессоре (которым он, кстати, и комплектуется) можно достичь внушительных результатов: процессор можно разогнать до ~2,8–3,4ГГц, память DDR3 - до 1333МГц. Недурно для ноутбука за ~35 тысяч рублей.

Глоссарий

• Слово «вольтмод» взято из английского (voltmodification) и означает «модификация напряжения». Вольтмод включает в себя любую модернизацию напряжения питания памяти или ядра (не путать с изменением настроек BIOS материнской платы). В основном вольтмод применяют для модернизации системы питания видеокарт или материнских плат.
• Чипсет - набор микросхем материнской платы.
• Тайминги - задержки доступа к данным в DDR-памяти.
• Микросхема SPD (Serial Presence Detect) - микросхема на планке оперативной памяти, в которой хранится информация о частотах, таймингах памяти и многое другое.
• Тактовый генератор - генерирует электрические импульсы заданной частоты (обычно прямоугольной формы) для синхронизации различных процессов в цифровых устройствах.
• Частота, на которой работает центральный процессор, определяется исходя из частоты FSB и коэффициента умножения. Большинство современных процессоров имеют заблокированный коэффициент умножения, так что единственным способом разгона является изменение частоты FSB.
• BSEL-пины на процессоре отвечают за выбор чипсетом и ТГ частоты FSB и всех зависящих от неё параметров соответственно. На последних процессорах таких пинов три, они могут принимать значения логического нуля или единицы. Различные комбинации таких нулей и единиц соответствуют разным частотам FSB.
• Регистром называется функциональный узел, осуществляющий приём, хранение и передачу информации.